Strombegrenzungseinrichtung

Abstract

Strombegrenzungseinrichtung (1) mit einem Siliziumsubstrat (2), wobei das Siliziumsubstrat (2) folgendes aufweist: – eine N-leitende Schicht (4); – zwei N + -Schichten (5), die jeweils auf den gegenüberliegenden Oberflächen der N-leitenden Schicht (4) gebildet sind; und – zwei Elektroden (3), die auf die gegenüberliegenden Oberflächen des Siliziumsubstrats (2) aufgebracht sind, und mit denen eine Spannung an das Siliziumsubstrat (2) angelegt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliziumsubstrat (2) ferner zumindest zwei P-Schichten (6) aufweist, daß zumindest eine P-Schicht (6) mit ihrer äußeren Oberfläche an jeweils eine Elektrode (3) angrenzt, und daß die jeweils auf den gegenüberliegenden Oberflächen der N-leitenden Schicht (4) gebildeten N + -Schichten (5) und die mit ihren äußeren Oberflächen an jeweils eine Elektrode (3) angrenzenden P-Schichten (6) bezüglich der jeweiligen Elektroden (3) symmetrisch angeordnet sind.

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      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      JP-H0621349-AJanuary 28, 1994Rohm Co Ltd, ローム株式会社Amorphous semiconductor element
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