Optisch gepumpter oberflächenemittierender Halbleiterlaser und optische Projektionsvorrichtung mit solch einem Halbleiterlaser

Abstract

optisch gepumpter, oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit einer modenselektiven Vorrichtung (7), die zur Unterdrückung von vorgebbaren, höheren Resonatormoden des Halbleiterlasers vorgesehen ist, bei dem – die modenselektive Vorrichtung (7) fest mit einem Halbleiterkörper (3) des Halbleiterlasers verbunden ist, – die modenselektive Vorrichtung (7) geeignet ist, zumindest einen Teil einer Pumpstrahlung (2a) einer Pumpstrahlquelle (2) optisch zu beeinflussen, – die modenselektive Vorrichtung (7) eine Metallbeschichtung umfasst, die direkt auf die Strahlungsdurchtrittsfläche (3a) des Halbleiterkörpers aufgebracht ist, und – die Metallbeschichtung eine Dicke von wenigstens 25 nm aufweist, wobei – die modenselektive Vorrichtung (7) im Strahlengang der Pumpstrahlquelle (2) des oberflächenemittierenden Halbleiterlasers angeordnet ist, – die Pumpstrahlung (2) auf ihrem Weg zu einer strahlungserzeugenden Schichtenfolge (3b) des Halbleiterkörpers (3) durch die modenselektive Vorrichtung (7) tritt, und – die modenselektive Vorrichtung (7) das Profil der Pumpstrahlung (2) in vorgebbarer Weise ändert.

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      DE-10043896-A1April 26, 2001Fuji Photo Film Co LtdLaser mit durch Halbleiterelement angeregtem Oberflächenemissions-Halbleiter und unterdrückten Schwingungsmoden höherer Ordnung
      WO-03030316-A2April 10, 2003Osram Opto Semiconductors GmbhLaser a semi-conducteur a emission verticale, utilisant le pompage optique
      WO-2005055381-A1June 16, 2005University Of StrathclydeLaser ameliore vertical a cavite externe et a emission par la surface

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