Halbleitervorrichtung

Abstract

Halbleitervorrichtung (100; 110; 120) vom Vertikaltyp zum Steuern eines Stroms, der zwischen einander über ein Halbleitersubstrat gegenüberliegenden Elektroden fließt, mit einem Halbleitersubstrat (1), das eine erste und eine zweite Fläche aufweist, die einander gegenüberliegen, einer ersten Elektrode (2; 22; 42), die auf der ersten Fläche ausgebildet ist, einer zweiten Elektrode (10; 30; 40) die auf der zweiten Fläche über einer Hochwiderstandselektrode (14) ausgebildet ist, deren Widerstandswert Rs beträgt, und einer dritten Elektrode (13; 33; 43), die entlang zumindest eines Teils des äußeren Rands der zweiten Fläche ausgebildet ist.

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      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      JP-H0493033-AMarch 25, 1992Nec CorpTransistor for power use
      US-2005151254-A1July 14, 2005Mitsubishi Denki Kabushiki KaishaSemiconductor device
      US-6534998-B1March 18, 2003Kabushiki Kaisha ToshibaSemiconductor device and control method thereof

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